HY2143-DA1H
Diagram
产品特性
- 内建高精度电池侦测电流
- 延迟时间由内部电路设置（不需要外接电容）
- 输出逻辑：CMOS输出，高电平有效；高电平由稳压器输出4.7V（典型值）
- 输出逻辑高电平有效最长时间：可选，不局限于默认值
- 低电流
- 工作模式典型值5.0μA，最大9.0μA（VCelln = 3.9V）
- 关闭模式1: 典型值4.5μA，最大值8.0μA（VCelln = 3.1V）
- 关闭模式2: 典型值0.6μA，最大1.0μA（VCelln = 2.0V）
- LDO输出电路
- LDO输出电压3.0V / 3.3V（典型值）。精度：±65mV
- LDO输出电流最大2mA
- 输入电压检测水平：
- 电压检测电平（从VDD）2.8V（典型值）。精度：±1V
- 耐高压设计：绝对最大额定值为30V
- 宽工作温度范围：-40°C至+ 85°C
- 小包装：DFN-2.0 * 2.0-8L
- 无卤绿色产品
资源下载
| 文件名称 | 说明 | 说明書 |
|---|---|---|
| DS-HY2143 | HY2143 系列芯片规格书 | DS-HY2143_SC.pdf |
| HY2143 Selection Guide | HY2143 系列产品选型表 | SelectionGuide_HY2143_EN.xlsx |