HY2151-GJ1C
Diagram
产品特性
- 内建高精度电池侦测电流
- 延迟时间由内部电路设置（不需要外接电容）
- 内置定时器复位延时电路
- 输出逻辑：CMOS输出，高电平有效
- 输出逻辑高电平有效最长时间：无限制
- 低电流（25°C; n = 1,2,3,4,5）
- 操作模式（VCelln = 4V，LDO ON）典型值3.2μA，最大5μA
- 耐高压设计：绝对最大额定值为32V。
- 宽工作温度范围：-40°C至+ 85°C
- 小包装：DFN8(1.97 * 2.46 mm)
- 无卤绿色产品
资源下载
| 文件名称 | 说明 | 说明書 |
|---|---|---|
| DS-HY2151 | HY2151 系列芯片规格书 | DS-HY2151_SC.pdf |
| HY2151 Selection Guide | HY2151 系列产品选型表 | SelectionGuide_HY2151.xlsx |